一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201810066650.4 

申 请 日：20180124 

发 明 人：周建林倪尧周鑫余江鹏甘平王志皓王凡城周唐奇 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20180914 

公 开 号：CN201810066650.4 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32)，在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc，形成为有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤：1、ITO基片的预处理；2、在基片上旋涂绝缘层；3、蒸镀Pentance和F16CuPc；4、源漏电极的制备。本发明的OFET管驱动提高了OFET管驱动性能，且能降低OFET管驱动制备难度，制备工艺简单；实现一种同时满足在空气中稳定且性能优良的OFET管驱动，本方法发明在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。 

主 权 项：1.一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，其特征是：绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32)，在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc，形成为有序晶体状有机薄膜。 

关 键 词：绝缘层;驱动;源层;制备;覆盖;预处理;驱动性能;应用电子;有机薄膜;源漏电极;制备工艺;晶体状;漏极;上旋;源极;蒸镀;微电子;应用 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H01L51/05;H01L51/00;H01L51/40;H01L51/00;H;H01;H01L;H01L51;H01L51/05;H01L51/00;H01L51/40;H01L51/00