一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201711157046.4
申 请 日：20171120
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝沙正街174号
公 开 日：20180403
公 开 号：CN107871819A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）为p?6p/C8?BTBT复合材料，在绝缘层（2）表面上覆盖p?6p层（31），在p?6p层上结晶C8?BTBT层（32），形成有序晶体状有机薄膜。本方法发明包括步骤：1、ITO基片的预处理；2、在基片上旋涂绝缘层；3、蒸镀p?6p/C8?BTBT复合材料；4、源漏电极的制备。本发明的OFET管提高了OFET管性能，且能降低OFET管制备难度，制备工艺简单；本方法发明克服了现有技术用高纯度有机半导体材料制备OFET管的技术偏见，在微电子及应用电子领域有广泛的应用价值。
主 权 项：一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管，包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），其特征是：有源层（3）为p?6p/C8?BTBT复合材料，在绝缘层（2）表面上覆盖p?6p层（31），在p?6p层（31）上结晶C8?BTBT层（32），形成为有序晶体状有机薄膜。
关 键 词：OFET;BTBT复合材料;绝缘层;半导体材料;薄膜;应用;及其制备方法;方法发明;6p层;源层;预处理;公开;形成;微电子;提高;偏见;6p/C8;ITO;漏电;管制;
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L51/05(2006.01)I,H01L51/10(2006.01)I