一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201711157659.8 

申 请 日：20171120 

发 明 人：周建林倪尧周鑫余江鹏甘平 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝沙正街174号 

公 开 日：20180327 

公 开 号：CN201711157659.8 

代 理 人：唐开平 

代理机构：重庆大学专利中心 50201 

摘　　要：本发明公开了一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）包括酞菁铜（31），在酞菁铜（31）中至少夹有两层氧化钼（32）。本方法发明包括步骤：1、ITO基片的预处理；2、在基片上旋涂绝缘层；3、蒸镀多夹层复合有源层；4、源漏电极的制备。本发明的OFET管输出电流明显增大，提高了OFET管的驱动能力；本方法发明工艺过程减少，降低了OFET管制备复杂程度，而且制造出的OFET管完全可以达到甚至超过传统的经过界面修饰后的OFET管的性能。 

主 权 项：一种具有输出大电流的OFET管，包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），其特征是：有源层（3）包括酞菁铜（31），在酞菁铜（31）中夹有两层氧化钼（32）。 

关 键 词：输出;电流;OFET;源层;绝缘层;及其制备方法;方法发明;酞菁铜;制造;预处理;公开;夹层;提高;ITO;漏电;具有;修饰;复合;管制;驱动; 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H01L51/05;H01L51/00;H01L51/40;H01L51/00;H;H01;H01L;H01L51;H01L51/05;H01L51/00;H01L51/40;H01L51/00