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  • 发明人=齐梦珂x
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一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片

申请号:CN201921045150.9

申请日:20190705

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型涉及一种采用阵列孔引出电极的高温声表面波器件芯片及其制作方法,通过在底电极与顶部金属之间设置通道Ⅰ、上电极与顶部金属之间设置通道Ⅱ,利用阵列孔的数量优势将风险分摊,大大提高了器件芯片的电气可靠性;此外,阵列孔采...
基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机

申请号:CN201811626484.5

申请日:20181228

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机;该摩擦发电机含有miura-ori折叠的支撑基底层,支撑基底层被折叠线分成M×N个折叠区块,每个折叠区块的正、反两面上均设置有平板形的发电模块,发电...
基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机

申请号:CN201822235740.X

申请日:20181228

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型涉及一种基于miura-ori折叠并具有压电增强效应的摩擦发电机;该摩擦发电机含有miura-ori折叠的支撑基底层,支撑基底层被折叠线分成M×N个折叠区块,每个折叠区块的正、反两面上均设置有平板形的发电模块,...
基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构

申请号:CN201721158538.0

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构,该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底,SOI芯片基底具有第一表面和第二表面,在SOI芯片基底上形成有压电薄膜,在压电薄膜之上形成有叉指换...
一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法

申请号:CN201710812288.6

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜,在...
一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法

申请号:CN201710812989.X

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法,该高温应变传感器芯片包括SOI芯片基底,SOI芯片基底具有第一表面和第二表面,在SOI芯片基底上形成有压电薄膜,在压电薄膜之上形成有叉指换能器...
一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法

申请号:CN201710813866.8

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法,其包括:硅晶元芯片基底,所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面,在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室,所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或...
一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片

申请号:CN201721158554.X

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其应用结构,该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底,SOI芯片基底上形成有压力敏感层,压力敏感层上形成有压电薄膜,在压电薄膜之上形成有叉指换能...
基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片

申请号:CN201721157113.8

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型提出了一种基于硅晶元和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片,其包括硅晶元芯片基底,所述硅晶元芯片基底包括第一表面和第二表面,在所述硅晶元芯片基底内部设置有腔室,所述腔室在硅晶元芯片基底第二表面有开口或者由键合于...
一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法

申请号:CN201710812303.7

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提出了一种基于SOI和压电薄膜的声表面波高温压力传感器芯片及其制备方法,该声表面波高温压力传感器芯片包括SOI芯片基底,SOI芯片基底上形成有压力敏感层,压力敏感层上形成有压电薄膜,在压电薄膜之上形成有叉指换能器和...
基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构

申请号:CN201721157111.9

申请日:20170911

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型提出了一种基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其应用结构,该基于金属薄板和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片包括金属薄板基底,金属薄板基底具有第一表面和第二表面,在金属薄板基底上形成有压电薄膜...
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