检索结果分析
- 循环ADC的乘法数模转换器电路及电容共享拓扑用于CMOS图像传感器的列并行读出电路
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申请号：CN201510810278.X
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MS...
- 一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
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申请号：CN201510808575.0
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
- 一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
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申请号：CN201510808575.0
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
- 一种低功耗动态跨导补偿Class?AB音频功率放大器
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申请号：CN201510807984.9
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class?AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class?AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class?AB第三级的输出端连接，所述电...
- 低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器
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申请号：CN201510807984.9
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class-AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class-AB第三级的输出端连接，所述电...
- 循环ADC的乘法数模转换器电路及电容共享拓扑用于CMOS图像传感器的列并行读出电路
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申请号：CN201510810278.X
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MS...
- 一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
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申请号：CN201510076359.1
申请日：20150212
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在...
- 一种横向功率MOS高压器件
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申请号：CN201410174519.1
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，...
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种具有界面栅的SOI功率器件结构
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申请号：CN201310572042.8
申请日：20131116
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
- 一种具有界面栅的SOI功率器件结构
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申请号：CN201310572042.8
申请日：20131116
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...