检索结果分析
- 一种直流断路器用IGBT模块的可靠性测试及寿命评估方法
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申请号：CN201811340506.1
申请日：20181112
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种直流断路器用IGBT模块的可靠性测试及寿命评估方法,属于高压直流输电技术领域。该方法：首先,基于高压直流断路器搭建单个IGBT模块的等效大电流冲击试验平台,研究高压直流输电系统发生短路故障时断路器转移支路用...
- 计及杂散电感影响的风电变流器IGBT功率模块动态结温计算方法
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申请号：CN201811150503.1
申请日：20180929
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种计及杂散电感影响的风电变流器IGBT功率模块动态结温计算方法,属于新能源发电用大功率电力电子器件可靠性技术领域,该方法包括：S1：根据杂散电感导致的并联多芯片间的动态不均流,建立IGBT模块等效电路模型；S...
- 一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法
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申请号：CN201811130588.7
申请日：20180927
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种SiC#MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,属于逆变器PWM控制领域,该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域,进行死区消除,具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母...
- 一种风电变桨电机控制器硬件在环实现方法
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申请号：CN201810135119.8
申请日：20180209
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种风电变桨电机控制器硬件在环实现方法，属于风电变桨电机控制技术领域，该方法基于Matlab/Simulink平台建立变桨电机及其控制器模型，包括以下步骤：S1：根据设计目标建立Matlab/Simulink平...
- 一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法
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申请号：CN201810008176.X
申请日：20180104
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参...
- 模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法
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申请号：CN201711158329.0
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，...
- 芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法
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申请号：CN201710952993.6
申请日：20171013
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；I...
- 一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置
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申请号：CN201710703079.8
申请日：20170816
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路，主驱动电路部分由DC?DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成；无源辅...
- 一种基于SiCMOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置
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申请号：CN201710565467.4
申请日：20170712
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置，属于直流固态断路器技术领域，该装置包含直流固态断路器，还包括电流检测系统、驱动系统、功率半导体固态开关器件、缓冲电路支路和能量吸收支路，缓冲电路支...
- 一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法
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申请号：CN201710533785.2
申请日：20170703
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法，属于电力电子器件技术领域。该方法具体包括：利用机侧变流器端三相电压，计算合成电压矢量大小及其相位，通过判断合成电压大小，确定其在扇区中的位置，当其处于低调制...