一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法

专利类型：外观设计 

语 言：中文 

申 请 号：CN201811130588.7 

申 请 日：20180927 

发 明 人：李辉钟懿黄樟坚廖兴林刘晓宇姚然郑媚媚王坤何蓓全瑞坤 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20181221 

公 开 号：CN109067230A 

代 理 人：廖曦 

代理机构：重庆知创恒源知识产权代理事务所(普通合伙) 50227 

摘　　要：本发明涉及一种SiC#MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,属于逆变器PWM控制领域,该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域,进行死区消除,具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区,并在桥臂电流过零区域恢复死区。本发明方法通过在线自适应算法计算出过零区域宽度,实现了整个调制周期内死区效应的有效消除,且算法简单,受器件非理想开关特性和负载参数影响较小,无需外加硬件检测电路,有效地节约了开发成本。 

主 权 项：1.一种SiC#MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,其特征在于：该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域,进行死区消除,具体包含如下步骤：S1：在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母线电压；S2：判断三相逆变器中桥臂电流的方向并确定桥臂电流的过零区域；S3：在桥臂电流非过零区域消除死区,并在桥臂电流过零区域恢复死区。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：H02M7/5387;H02M1/38