一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810008176.X
申 请 日：20180104
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180529
公 开 号：CN108090301A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参数，计算每层材料疲劳失效的循环次数；最后，计算器件中每层材料的疲劳寿命和故障率，建立单芯片压接式IGBT器件的可靠性计算模型，获取压接式IGBT器件故障率等可靠性指标。本发明提供一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法，充分考虑了压接式IGBT器件中不同材料属性寿命对器件可靠性的影响，提高了压接式IGBT器件可靠性计算准确性，可广泛用于压接式IGBT器件的可靠性设计和薄弱环节评估。
主 权 项：一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法，其特征在于：该方法包含如下步骤：S1：建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；S2：通过仿真得到各层材料承受的疲劳强度，提取各层材料的疲劳属性参数，计算各层材料疲劳失效的循环次数；S3：计算压接式IGBT器件中各层材料的疲劳寿命和故障率，建立压接式IGBT器件的可靠性计算模型，获取压接式IGBT器件的可靠性指标。
关 键 词：压接式;可靠性计算;疲劳寿命;内部材料;故障率;疲劳;可靠性设计;可靠性指标;器件可靠性;薄弱环节;材料疲劳;材料属性;仿真条件;几何模型;计算器件;属性参数;运行工况;单芯片;评估
法律状态：公开
IPC专利分类号：G06F17/50(2006.01)I