一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201710703079.8 

申 请 日：20170816 

发 明 人：李辉黄樟坚廖兴林谢翔杰王坤姚然胡姚刚邓吉利白鹏飞何蓓 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20171110 

公 开 号：CN107342756A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路，主驱动电路部分由DC?DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成；无源辅助电路部分由正向峰值电压抑制单元和负向峰值电压抑制单元构成。本发明提出了一种在传统驱动电路的基础上，增加三极管串联电容的新型辅助电路改进驱动方法。通过对主驱动电路和无源辅助电路参数的合理设计，实现抑制桥臂串扰的同时缩短开关延时时间，减小开关损耗，降低控制复杂程度的目标。本发明提供的装置，提高了SiC MOSFET桥式变换器工作可靠性与效率，降低了驱动控制成本与复杂程度。 

主 权 项：一种抑制SiC?MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，其特征在于：包含主驱动电路和无源辅助电路，所述主驱动电路与所述SiC?MOSFET器件连接；所述无源辅助电路与所述主驱动电路连接；所述主驱动电路的数量为2，用于实现主电路上下桥臂中所述SiC?MOSFET器件的分断的功能，所述无源辅助电路的数量为2，用于抑制驱动所述主电路上下桥臂中所述SiC?MOSFET器件过程中产生的桥臂串扰。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H03K17/16; H03K17/687