芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710952993.6
申 请 日：20171013
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180123
公 开 号：CN107622172A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；IGBT器件层级建模，建立包含多区域的IGBT芯片等效模型，并设置不同区域热源功率分配比例，建立压接式IGBT器件温度场有限元模型。本发明实现了压接式IGBT芯片?器件层级多场域耦合仿真，通过芯片层级建模仿真提取建立计及热源分布差异的芯片等效模型，提高了压接式IGBT模块温度场有限元仿真结果的准确性，可以更准确地表征压接式IGBT芯片与器件之间热耦合作用关系。
主 权 项：一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，其特征在于：该建模方法包含压接式IGBT芯片层级建模和器件层级建模；具体包含如下步骤：S1：建立压接式IGBT元胞TCAD模型；S2：仿真提取单个元胞额定通态压降分布；S3：建立IGBT芯片等效模型；S4：将压接式IGBT芯片进行分区处理，计算区域之间的热源功率分配比例；S5：设置IGBT芯片不同区域热源功率分配比例；S6：建立压接式IGBT模块温度场有限元模型。
关 键 词：联合;仿真;式 IGBT温度场;温度场有限元;IGBT芯片;器件层级;建立;层级建模;建模方法;分布;IGBT元胞;IGBT器件;热源;设置;设计;半导体;提高;地表;TCAD;耦合;
法律状态：公开
IPC专利分类号：G06F17/50(2006.01)I