模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201711158329.0
申 请 日：20171120
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180209
公 开 号：CN107679353A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，通过设置渗透坑内铝元素含量，形成不同失效短路过程的材料属性变化；压接式IGBT器件多物理场建模，建立压接式IGBT器件几何模型，基于不同失效短路过程的材料属性变化，循环仿真模拟在不同失效短路过程中电阻、热阻变化规律。本发明实现了压接式IGBT器件失效短路过程有限元建模分析，通过考虑渗透坑的失效短路等效模型，模拟了压接式IGBT器件在发生失效短路过程中特征参数的变化，可以为压接式IGBT器件失效短路状态监测提供基础。
主 权 项：模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，其特征在于：该方法包含压接式IGBT失效短路过程模拟，用于模拟压接式IGBT器件失效部位渗透过程和特征参数的变化；具体包含如下步骤：S1：建立压接式IGBT器件的渗透坑劣化模型；S2：将压接式IGBT器件的失效短路渗透坑进行电导率变换处理，计算不同渗透程度时的电导率；S3：设置压接式IGBT器件处于不同失效短路程度的电导率；S4：建立IGBT器件含渗透坑的等效模型；S5：仿真不同渗透程度下压接式IGBT器件的稳态特性；S6：获得压接式IGBT器件的失效短路等效模型。
关 键 词：式 IGBT器件;失效短路过程;器件失效;渗透;有限元建模;建模方法;仿真;材料属性变化;形成;监测;建立;设置;分析;电阻;研究;半导体;循环;提供;实现;属于;
法律状态：公开
IPC专利分类号：G06F17/50(2006.01)I