检索结果分析
- 一种掺杂大块单晶SnS的制备方法
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申请号：CN201810486631.7
申请日：20180521
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于半导体材料掺杂技术领域,公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分...
- 新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法
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申请号：CN201810223262.2
申请日：20180319
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域,公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法,掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能,掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2#3倍,并且材料...
- 一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置
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申请号：CN201710875549.9
申请日：20170925
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于方钴矿化合物制备技术领域，公开了一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置，包括：以化学计量比称量的样品为起始原料，置于底端的石墨管中，采用高频电磁感应加热方式，在极短时间内使样品熔融为液态；从熔体上方...
- 一种非公度超点阵的纳米畴结构导致超低热导的制造方法
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申请号：CN201710875515.X
申请日：20170925
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于热控制技术领域，公开了一种无公度超点阵的纳米畴结构导致超低热导的制造方法，包括：将原料按化学计量比Cu12+xSb4S13在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中；置于马沸炉中，用2235分钟升温到6...
- 一种多晶SnSe热电材料的制备方法
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申请号：CN201710730503.8
申请日：20170823
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法，包括：利用单晶制备方法制备高性能单晶；将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细...