一种非公度超点阵的纳米畴结构导致超低热导的制造方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201710875515.X 

申 请 日：20170925 

发 明 人：卢旭周小元闫艳慈张斌彭坤岭 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20171208 

公 开 号：CN107445622A 

代 理 人：赵红霞 

代理机构：北京国坤专利代理事务所(普通合伙)11491 

摘　　要：本发明属于热控制技术领域，公开了一种无公度超点阵的纳米畴结构导致超低热导的制造方法，包括：将原料按化学计量比Cu12+xSb4S13在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中；置于马沸炉中，用2235分钟升温到650度；研磨所得样品并冷压成型，真空封于石英管中，置于马沸炉中，并在450度退火，所得样品经SPS快速烧结技术制成致密性良好的块材。本发明通过在黝铜矿中引入无公度超点阵的纳米畴结构，在块体材料中实现全温区的超低热导，块体材料中超低热导的实现在热电材料领域、相变材料领域、航空领域均有重大影响，能够促进热能转换效率。??全部 

主 权 项：一种无公度超点阵的纳米畴结构导致超低热导的制造方法，其特征在于，所述无公度超点阵的纳米畴结构导致超低热导的制造方法包括以下步骤：步骤一，将原料按化学计量比Cu_12+xSb₄S₁₃在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中；步骤二，置于马沸炉中，用2235分钟升温到650度；步骤三，研磨所得样品并冷压成型，真空封于石英管中，置于马沸炉中，并在450度退火，所得样品经SPS快速烧结技术制成致密性良好的块材。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C04B35/547(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I