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一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201710875549.9 

申 请 日:20170925 

发 明 人:周小元郭莉杰王桂文彭坤岭卢旭 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20180119 

公 开 号:CN107604208A 

代 理 人:赵红霞 

代理机构:北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 

摘  要:本发明属于方钴矿化合物制备技术领域,公开了一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法及熔体旋甩装置,包括:以化学计量比称量的样品为起始原料,置于底端的石墨管中,采用高频电磁感应加热方式,在极短时间内使样品熔融为液态;从熔体上方施加喷气压力Ar气体,熔体即可快速从小孔中喷射到高速旋转的铜辊表面,同时快速急冷而形成连续带状非晶或纳米晶材;之后将所得甩带样品研磨、放电等离子火花烧结得到致密性良好的块体材料。本发明的制备速度快,可有效提高样品制备效率、抑制易挥发性元素的挥发;旋甩设备置于Ar气氛围的手套箱中,可有效杜绝氧化物杂相的产生;所得样品晶粒尺寸细小、成分均匀,可明显降低材料的晶格热导率。 

主 权 项:一种制备p型填充式方钴矿化合物的方法,其特征在于,所述制备p型填充式方钴矿化合物的方法包括以下步骤:步骤一,以化学计量比称量的样品为起始原料,置于石墨管中,采用高频电磁感应加热的方式,在极短时间内使样品熔融为液态;步骤二,从熔体上方施加喷气压力的高纯Ar气体,熔体即可快速从小孔中喷射到高速旋转的铜辊表面,同时快速急冷而形成连续带状非晶或纳米晶材;之后将所得甩带样品研磨、放电等离子火花烧结得到致密性良好的块体材料。 

关 键 词:制备;方钴矿化合物;加热;喷射;填充式方钴矿;型填充式方钴;方法及熔体;计量;晶粒;公开;挥发性;等离子;石墨;热导率;氧化物;手套;形成;火花;提高;置于; 

法律状态:公开 

IPC专利分类号:C22C12/00(2006.01)I,C22C1/04(2006.01)I,H01L35/18(2006.01)I,B22D11/06(2006.01)I,B22F3/105(2006.01)I