一种掺杂大块单晶SnS的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201810486631.7 

申 请 日：20180521 

发 明 人：吴宏彭坤林周小元王国玉卢旭 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区正街174号 

公 开 日：20181009 

公 开 号：CN108624958A 

代 理 人：包晓静 

代理机构：重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 

摘　　要：本发明属于半导体材料掺杂技术领域,公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散；将炉温将至900度,利用自制单晶炉中的温度梯度,采用布里奇曼法,通过1mm/h的速率移动；共计六天时间。大块掺杂单晶SnS的生长,使用改进的布里奇曼方法；解决了生长过程中硫元素产生过大蒸汽压,这蒸汽压会导致石英管爆炸。 

主 权 项：1.一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,其特征在于,所述掺杂大块单晶SnS的制备方法包括以下步骤：步骤一,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分钟来保证原料充分扩散；步骤二,将炉温将至900度,利用自制单晶炉中的温度梯度,采用布里奇曼法,通过1mm/h的速率移动；共计六天时间。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：C30B29/46;C30B11/00