新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201810223262.2 

申 请 日：20180319 

发 明 人：卢旭周小元沈星辰王桂文 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市南岸区沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20180821 

公 开 号：CN108425150A 

代 理 人：包晓静 

代理机构：重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 

摘　　要：本发明属于由金属粉末制造工件或制品技术领域,公开了一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法,掺杂多晶Ag6Ge10P12具有十分优越的热电性能,掺杂大约3％的Ga可以将整体性能提高2#3倍,并且材料生长所需时间与其他传统的多晶热电材料相当(大约一周)。与很多磷基热电材料相比,最高PF(决定材料的电学性能)最高的zT(决定热电性能)或者平均zT(决定转化效率)是目前最好的。本发明成功制备出Ag6Ge10P12多晶块体材料；解决了生长过程中磷元素产生过大蒸汽压,蒸汽压过大会导致石英管爆炸的问题；Ga元素的有效掺杂方法使得材料热电性能得到提升。 

主 权 项：1.一种新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法,其特征在于,所述新型P基化合物Ag6Ge10P12高热电性能材料的制备方法包括以下步骤：步骤一,将原料按化学计量比Ag6Ge10(1#x)Ga10xP12在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中；其中,x＝0.0,x＝0.01,x＝0.03,x＝0.04；步骤二,置于马沸炉中；研磨所得样品得到粉末,真空封于石英管中,置于马沸炉中,并在600摄氏度退火,所得样品经SPS快速烧结技术制成致密性良好的块材。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：C30B29/10;C30B28/02;C01B25/08