一种多晶SnSe热电材料的制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710730503.8
申 请 日：20170823
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20171229
公 开 号：CN107522489A
代 理 人：赵红霞
代理机构：北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491
摘 要：本发明属于热电材料技术领域，公开了一种多晶SnSe热电材料的制备方法，包括：利用单晶制备方法制备高性能单晶；将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用研砵、粉碎机等工具将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细粉；使用球磨机将细粉细化至晶粒尺寸为0.2μm～20μm的超细粉；使用热压设备或者等离子电火花烧结设备将超细粉烧结成块体。本发明利用这多余的材料制备的多晶热电材料的性能优于传统固相合成的多晶材料的性能；同时利用研砵、粉碎机和球磨机细化出合适尺寸的晶粒，可以提高多晶材料的热电性能(zT)和材料稳定性。
主 权 项：一种多晶SnSe热电材料的制备方法，其特征在于，所述多晶SnSe热电材料的制备方法包括以下步骤：步骤一，将配比好的原料利用布立基曼法制备高性能单晶；原料配比为：Sn:R:Se＝95～99.9:0.1～5:95～105；其中R为元素周期表中除Sn、Se以及惰性气体元素以外的一种元素或多种元素的组合；步骤二，将制备的高性能单晶或者高性能单晶所用后所剩余材料使用粉碎机、研砵将单晶初步研磨成晶粒尺寸小于500μm的细粉；步骤三，使用球磨机将细粉细化至晶粒尺寸为0.2μm～20μm的超细粉；步骤四，使用热压设备或者等离子电火花烧结设备将超细粉烧结成块体。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：C04B35/547; C04B35/645; C30B28/04; C30B29/46