检索结果分析
- 一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201711481000.8
申请日：20171229
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层、介质层和顶层硅；所述衬底层为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层覆盖于衬底层之上，所...
- 一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201711400517.X
申请日：20171222
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管，包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区，其特征在于：所述SOI衬底包括埋氧层、衬底层和顶硅层。所述埋氧层覆盖于衬底层之上。所述顶硅层位于埋氧层之上。一种电势控制...
- 一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器
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申请号：CN201711166225.4
申请日：20171121
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型注入结构、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述高可靠性肖特基接触超级势垒整流器...
- 一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法
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申请号：CN201711166197.6
申请日：20171121
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类...
- 一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201710091494.2
申请日：20170220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的...
- 一种快速绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201710088554.5
申请日：20170220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种快速绝缘栅双极型晶体管；所述快速绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构，在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间...