一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201711481000.8
申 请 日：20171229
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20180622
公 开 号：CN201711481000.8
代 理 人：王翔
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层、介质层和顶层硅；所述衬底层为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层覆盖于衬底层之上，所述介质层为二氧化硅材料；所述顶层硅覆盖于介质层之上，所述顶层硅为P型或者N型掺杂的硅材料；一种异质结电势控制绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶层硅中形成；所述漂移区贴附于介质层的上方，所述漂移区由N基区构成；所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧；所述阳极区包括硅/锗硅异质结。所述阳极区还包括电势控制结构；所述阴极区包括硅/锗硅异质结；所述栅极区贴附于阴极区上方。
主 权 项：1.一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层(1)、介质层(2)和顶层硅；所述衬底层(1)为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层(2)覆盖于衬底层(1)之上，所述介质层(2)为二氧化硅材料；所述顶层硅覆盖于介质层(2)之上，所述顶层硅为P型或者N型掺杂的硅材料；一种异质结电势控制绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶层硅中形成；所述漂移区贴附于介质层(2)的上方，所述漂移区由N基区(9)构成；所述阳极区和阴极区分别位于N基区(9)的两侧；所述阳极区包括硅/锗硅异质结；所述阳极区还包括电势控制结构；所述阴极区包括硅/锗硅异质结；所述栅极区贴附于阴极区上方。
关 键 词：介质层;电势控制;顶层硅;阳极区;阴极区;衬底层;漂移区;异质结;绝缘栅双极型晶体管;锗硅异质结;硅材料;栅极区;衬底;贴附;绝缘栅双极晶体管;二氧化硅材料;导电功能;覆盖
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/739;H01L29/00;H01L21/331;H01L21/00;H01L29/06;H01L29/00;H;H01;H01L;H01L29;H01L21;H01L29/739;H01L29/00;H01L21/331;H01L21/00;H01L29/06;H01L29/00