一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201711166197.6
申 请 日：20171121
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20180508
公 开 号：CN201711166197.6
代 理 人：王翔
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述栅介质层嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面区域。所述栅介质层呈现为U型结构，所述U型结构底部介质层厚度大于侧壁介质层厚度。所述栅电极层覆盖于U型栅介质层之内。所述肖特基势垒接触区覆盖于第二导电类型体区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层和肖特基势垒接触区之上。
主 权 项：一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(40)、栅介质层(60)、栅电极层(70)、肖特基接触区(80)和上电极层(90)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(40)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述栅介质层(60)嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面区域；所述栅介质层(60)呈现为U型结构，所述U型结构底部介质层厚度大于侧壁介质层厚度；所述栅电极层(70)覆盖于U型栅介质层(60)之内；所述肖特基势垒接触区(80)覆盖于第二导电类型体区(40)之上；所述上电极层(90)覆盖于栅电极层(70)和肖特基势垒接触区(80)之上。
关 键 词：第一导电类型;栅介质层;轻掺杂;外延层;肖特基接触;导电类型;栅电极层;覆盖;体区;肖特基势垒接触;衬底层;电极层;沟槽型;整流器;重掺杂;势垒;侧壁介质层;下电极层;介质层;嵌入;制作
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L27/07;H01L27/00;H01L21/8249;H01L21/00;H;H01;H01L;H01L27;H01L21;H01L27/07;H01L27/00;H01L21/8249;H01L21/00