检索结果分析
- 一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
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申请号：CN201811159206.3
申请日：20180930
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器...
- 一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
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申请号：CN201810403053.6
申请日：20180428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有P型硅区、N?漂移区、N+源区、P+源区...
- 一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构
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申请号：CN201510076359.1
申请日：20150212
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在...