检索结果分析
- 一种高钛钢用非反应性保护渣
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申请号：CN201810027672.X
申请日：20180111
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高钛钢用非反应性保护渣，由以下重量百分比的组分组成：9%≤CaO≤16%，15%≤Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>≤30%，20%≤BaO≤32%，5%≤Li<sub>2</sub>...
- 一种高铝钢用非反应性保护渣
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申请号：CN201810027671.5
申请日：20180111
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高铝钢用非反应性保护渣，由以下重量百分比的组分组成：CaO?26%~40%，Al2O3?18%~28%，BaO?14%~28%，Li2O?2%~10%，F?6%~14%，MgO≤2%，C?2%~8%，其余...
- 循环ADC的乘法数模转换器电路及电容共享拓扑用于CMOS图像传感器的列并行读出电路
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申请号：CN201510810278.X
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MS...
- 一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
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申请号：CN201510808575.0
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
- 一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路
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申请号：CN201510808575.0
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于非对称天线效应的CMOS片上恒稳定ID产生电路，包括NMOS管M1、NMOS管、PMOS管M2和反相器，所述PMOS管M2的源极和栅极、反相器的电源端分别与电源VDD连接，PMOS管M2的漏极与反相器...
- 一种低功耗动态跨导补偿Class?AB音频功率放大器
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申请号：CN201510807984.9
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class?AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class?AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class?AB第三级的输出端连接，所述电...
- 低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器
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申请号：CN201510807984.9
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种低功耗动态跨导补偿Class-AB音频功率放大器，包括套筒式输入级、电流折叠式第二级和推挽式Class-AB第三级，所述套筒式输入级的输出端通过电容Cm1与推挽式Class-AB第三级的输出端连接，所述电...
- 循环ADC的乘法数模转换器电路及电容共享拓扑用于CMOS图像传感器的列并行读出电路
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申请号：CN201510810278.X
申请日：20151119
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种循环ADC的乘法数模转换器电路，包括容值可变的取样电容单元、容值可变的反馈电容单元和放大器，本发明通过浮动调整部分采样电容以及反馈电容，在LSB转换期间主放大器具有显著的减载。从而可以使LSB的周期比MS...
- 一种三分量路基溶洞检测传感器以及检测系统
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申请号：CN201510027967.3
申请日：20150120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种三分量路基溶洞检测传感器，包括柱状的壳体、与壳体上端螺纹配合的顶盖以及与壳体下端螺纹配合的底盖、设于壳体内的微处理单元、与微处理单元连接的电源板以及与微处理单元连接的传感器信号线缆，电源板为差分电源板，为...
- 一种三分量路基溶洞检测传感器以及检测系统
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申请号：CN201510027967.3
申请日：20150120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种三分量路基溶洞检测传感器，包括柱状的壳体、与壳体上端螺纹配合的顶盖以及与壳体下端螺纹配合的底盖、设于壳体内的微处理单元、与微处理单元连接的电源板以及与微处理单元连接的传感器信号线缆，电源板为差分电源板，为...
- 瑞雷波路基探测空洞三维定位法
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申请号：CN201510027631.7
申请日：20150120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种瑞雷波路基探测空洞三维定位法，1）在路基探测现场布置N条瑞雷波观测测线，得到N幅波速剖面图；2）通过N幅波速剖面图初步确定为空洞的边界A、B；3）用最小二乘法拟合直线算法得到上顶点S依次相连对应的直线y；...
- 紧支集小波探测地下空洞位置的方法及系统
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申请号：CN201410737899.5
申请日：20141205
申请人：招商局重庆交通科研设计院有限公
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种紧支集小波探测地下空洞位置的方法，涉及地下空洞探测技术领域，该方法包括确定监测区域，在监测区域中确定监测点，在监测点的具体位置安装数字检波器，根据紧支集小波分析法对采集的瑞雷波地震数据进行分析得到时-频分...
- 地层裂缝监测与预警系统及方法
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申请号：CN201410736490.1
申请日：20141205
申请人：招商局重庆交通科研设计院有限公
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种地层裂缝监测与预警系统及方法，涉及地质勘探技术领域，包括传感器模块、无线通信模块、数据处理模块和定位预警模块；所述传感器模块由多个MEMS数字加速度传感器组成，所述无线通信模块用于将传感器组产生的反馈电动...
- 一种LED电源驱动电路
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申请号：CN201410200121.0
申请日：20140513
申请人：重庆大学;重庆东灵照明设备有限
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种LED电源驱动电路，其包括整流电路、开关控制电路，开关控制电路包括比较电路、触发电路和开关管，比较电路包括第一比较电路、第二比较电路，第一比较电路的正极与整流电路的正极输出端相连，负极连接第一参考电压，第...
- 一种LED电源驱动电路
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申请号：CN201410200121.0
申请日：20140513
申请人：重庆大学;重庆东灵照明设备有限
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种LED电源驱动电路，其包括整流电路、开关控制电路，开关控制电路包括比较电路、触发电路和开关管，比较电路包括第一比较电路、第二比较电路，第一比较电路的正极与整流电路的正极输出端相连，负极连接第一参考电压，第...
- 一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件
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申请号：CN201310110855.5
申请日：20130401
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材...
- 一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件
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申请号：CN201310110855.5
申请日：20130401
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材...