一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310110855.5 

申 请 日：20130401 

发 明 人：甘平李奋展童中华吴立强陈卓刘德鹏刘涛刘冬翠 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20130626 

公 开 号：CN201310110855.5 

代 理 人：张先芸 

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 

摘　　要：本发明提供一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材料作为有源激活层；源极和漏极采用金作为电极，所述源极和漏极为叉指状结构。本发明是利用电场来控制固体材料导电性能的有源MOS器件。该器件表现出明显的宽频特性，即在幅频特性上频带较宽。使得该发明成为在传感器，高频电子线路，大规模集成电路和有源主动显示领域有着很好的应用前景。 

主 权 项：一种基于TeO2/并五苯复合材料的具有宽频特性的MOS器件，包括源极、栅极和漏极；其特征在于，该MOS器件的结构上从下到上依次为，玻璃作为衬底和ITO作为栅极，PVA与PMMA双层材料结构作为绝缘层，TeO2/并五苯复合材料作为有源激活层；源极和漏极采用金作为电极，所述源极和漏极为叉指状结构。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H01L51/05;H01L51/00;H;H01;H01L;H01L51