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  • 发明人=阮祯臻x
排序:
一种基于行车图像采集的车辆识别方法

申请号:CN201810219016.X

申请日:20180316

申请人:重庆大学

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摘要:本申请公开了一种基于行车图像采集的车辆识别方法,包括如下步骤:采集前方图像信息;对前方图像信息进行第一次轮廓识别,获取多个物体轮廓图像;若物体轮廓图像具有四个角点,且四个角点构成一个水平放置的梯形或矩形,则判断梯形或矩形...
一种基于车牌尺寸计算的车距检测方法

申请号:CN201810166943.X

申请日:20180228

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种基于车牌尺寸计算的车距检测方法,包括如下步骤:采集被测车辆的当前帧图像,对当前帧图像进行预处理,对预处理后的当前帧图像进行边缘检测,生成彩色边缘图像,基于彩色边缘图像定位被测车辆的车牌位置并获车牌尺寸,采...
一种基于自适应滤波与小波变换结合的地震波降噪方法

申请号:CN201710334723.9

申请日:20170512

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提供一种基于自适应滤波与小波变换结合的地震波降噪方法,解决如何从混合信号中提取出利于分析解释的有效信号,压制噪声,即凸显有效信号,尽量去除干扰信号,实现信号与噪声分离的目的。首先考虑使用时间延迟估计的方法快速找到有...
一种基于FPGA的公路危岩崩塌堆积物大小测量及报警系统

申请号:CN201710334716.9

申请日:20170512

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种基于FPGA的公路危岩崩塌堆积物大小测量及报警系统,包括视频图像采集模块、FPGA处理模块和视频图像显示模块;FPGA处理模块的主控芯片对视频图像采集模块采集的图像经几何校正、滤波后进行融合算法处理,实现公...
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件

申请号:CN201410174541.6

申请日:20140428

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层,有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件

申请号:CN201410174541.6

申请日:20140428

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层,有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
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