检索结果分析
- 一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法
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申请号：CN201810008176.X
申请日：20180104
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种计及内部材料疲劳寿命的压接式IGBT器件可靠性计算方法。首先，建立压接式IGBT器件的几何模型，根据压接式IGBT器件的运行工况设置有限元仿真条件；其次，通过仿真得到每层材料承受的疲劳强度，提取其疲劳属性参...
- 芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法
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申请号：CN201710952993.6
申请日：20171013
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；I...
- 一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置
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申请号：CN201710703079.8
申请日：20170816
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置，属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路，主驱动电路部分由DC?DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成；无源辅...
- 一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法
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申请号：CN201710533785.2
申请日：20170703
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种双馈抽水蓄能机组用三电平变流器降低损耗的调制方法，属于电力电子器件技术领域。该方法具体包括：利用机侧变流器端三相电压，计算合成电压矢量大小及其相位，通过判断合成电压大小，确定其在扇区中的位置，当其处于低调制...