检索结果分析
- 一种抑制CCD噪声的实时数据采集装置及方法
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申请号：CN201710090452.7
申请日：20170220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种抑制CCD噪声的实时数据采集装置及方法，装置包括：CCD探测器、可编程放大电路、高精度ADC电路、控制逻辑电路、USB微控制器以及上位机；所述控制逻辑电路包括CCD探测器驱动模块、信号的可编程放大模块、模数转换模块、...
- 一种快速富集分离检测细菌的方法
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申请号：CN201610505475.5
申请日：20160629
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种快速富集分离检测细菌的方法,包括以下步骤：(1)将待测样品与磁珠混合,振摇孵育后进行磁分离,将磁分离后的磁珠重悬于PBS溶液中,得到残余磁珠和吸附有细菌的磁珠悬浮液；(2)在分离管中加入配置好的凝胶,再将...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
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申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
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申请号：CN201410244145.6
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
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申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201410015476.2
申请日：20140219
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种压应变GeSnp沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102,103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（...
- 压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201410015476.2
申请日：20140219
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种压应变GeSn?p沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102，103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极...
- 双馈风电机组关键传感器故障的判断方法
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申请号：CN201010289539.5
申请日：20100924
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供了一种双馈风电机组关键传感器故障的判断方法。该方法采用观测器模型、故障检测单元和扰动过滤单元，实现对关键传感器故障的有效判断。从双馈发电机电磁暂态模型出发，构建了定、转子电流和定子电压的观测器模型；通过分析传感...
- 双馈风电机组定转子电流冗余信号的获取方法
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申请号：CN201010253186.3
申请日：20100813
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供了一种双馈风电机组定转子电流冗余信号的获取方法，该方法基于双馈风电机定、转子电流观测器算法，通过现有传感器获得的定子电压信号、转子电压信号和转子的转速信号，在同步旋转坐标系下构造定子电流信号和转子电流信号，最后...