检索结果分析
- 一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件
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申请号：CN201811159206.3
申请日：20180930
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有阶梯浓度多晶硅侧墙结构的超结VDMOS器件，首先在传统器件基础上增加了具有隔离和耐压作用的氧化硅薄墙及解决电荷非平衡问题的阶梯浓度的多晶硅侧墙结构。其次在新型超结VDMOS器件基础上引入了P型柱，在器...
- 一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
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申请号：CN201810403053.6
申请日：20180428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有P型硅区、N?漂移区、N+源区、P+源区...
- 一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810137190.X
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，其具有第一种导电类型的MOSFET及第二种导电类型的双极结型晶体管，并通过第一种导电类型的MOSFET及受所述MOSFET驱动的第二种导电类型的双极结型晶...
- 一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管
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申请号：CN201810137194.8
申请日：20180210
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压...
- 一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET
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申请号：CN201810072735.3
申请日：20180124
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET，属于半导体功率器件技术领域，通过在现有的超结功率MOSFET中设置新的耐压层，改变衬底区的结构，或增加缓冲区以及辅助区，有效地提高寄生体二极管反向恢复电流的软度，改善...