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专利名称
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- 申请号
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- 发明人
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不限
- 不限
- 1989
- 1990
- 1991
- 1992
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- 1991
- 1990
- 1989
共 5 条 记 录，以下是 1-5
已选条件：
- 发明人=胡博容
- 元胞结构式功率模块3D封装构造
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申请号：CN201611158120.X
申请日：20161215
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种元胞结构式功率模块3D封装构造，至少包括一个元胞，所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意...
- 半导体功率模块3D封装构造
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申请号：CN201621381082.X
申请日：20161215
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型公开了一种半导体功率模块3D封装构造,至少包括一个元胞,所述元胞包括上绝缘层、下绝缘层、设置于上绝缘层与下绝缘层之间的芯片组件和用于固定上绝缘层与下绝缘层并作为电极的电极组件；元胞式结构可以轻松实现电路拓扑任意...
- 动静态均流的多芯片并联的功率模块
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申请号：CN201610407686.5
申请日：20160612
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供的动静态均流的多芯片并联的功率模块，包括陶瓷覆铜板和功率芯片，所述功率芯片数量为多个，每个功率芯片一一对应设置于结构相同的陶瓷覆铜板上，陶瓷覆铜板以轴对称方式沿圆周方向设置；本发明通过圆形的物理对称结构实现电气...
- 基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法
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申请号：CN201610139323.8
申请日：20160311
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供的一种基于耦合电感的SiC#MOSFET并联均流控制方法,在并联SiC#MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上,通过本方法,能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...
- 基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法
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申请号：CN201610139323.8
申请日：20160311
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供的一种基于耦合电感的SiC?MOSFET并联均流控制方法，在并联SiC?MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈，且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上，通过本方法，能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...