检索结果分析
- 具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法
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申请号：CN201810229412.0
申请日：20180320
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法，包含绝缘介质层(1)、多晶硅栅电极(2)、金属化源电极(3)、第二导电类型宽禁带半导体体区(4)、第一导电类型宽禁带半导体源接触区(5)、重掺杂第...
- 具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件及其制造方法
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申请号：CN201810229695.9
申请日：20180320
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，包含碳化硅衬底(101)、第一外延层(201)、P型离子注入区(203)、第二外延层(301)、沟槽结构(302)、终端区绝缘介质隔离...
- 一种具有沟槽隔离栅极结构的超结IGBT
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申请号：CN201810229398.4
申请日：20180320
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有沟槽隔离栅极结构的超结IGBT，属于半导体功率器件技术领域，包括半导体基板，半导体基板包含依次层叠设置的集电极金属层(10)，P+集电区(9)和第一导电类型缓冲层(8)，第一导电类型缓冲层(8)的上表面...
- 一种横向超结结构氮化镓HEMT器件及其制造方法
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申请号：CN201810229172.4
申请日：20180320
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种横向超结结构氮化镓HEMT器件及其制造方法，该方法包含如下步骤：S1：在准备好的衬底层上依次布置AlN层、GaN缓冲层，GaN沟道层；S2：在步骤S1得到的外延片上涂一层光刻胶作为离子注入阻挡层；S3：对光...