一种横向超结结构氮化镓HEMT器件及其制造方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810229172.4
申 请 日：20180320
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180824
公 开 号：CN201810229172.4
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种横向超结结构氮化镓HEMT器件及其制造方法，该方法包含如下步骤：S1：在准备好的衬底层上依次布置AlN层、GaN缓冲层，GaN沟道层；S2：在步骤S1得到的外延片上涂一层光刻胶作为离子注入阻挡层；S3：对光刻胶进行曝光显影，露出需要掺杂区域的GaN沟道层；S4：进行Mg离子注入，在GaN沟道层形成沿着GaN沟道层平面方向的周期性间隔的长条形的P型掺杂区；S5：去除剩余的光刻胶，进行快速热处理并激活掺杂离子；S6：布置AlGaN势垒层；S7：清洗外延片，采用离子注入或等离子刻蚀的方法进行器件隔离形成HEMT器件的有源区；S8：制作源极和漏极电极并形成欧姆接触；S9：制作栅极电极并形成肖特基接触。本发明有效增大了氮化镓HEMT器件的击穿电压。
主 权 项：1.一种横向超结结构氮化镓HEMT器件的制造方法，其特征在于：该方法包含如下步骤：S1：在准备好的衬底层上依次布置AlN层、GaN缓冲层，GaN沟道层；S2：在步骤S1得到的外延片上涂一层光刻胶作为离子注入阻挡层；S3：对光刻胶进行曝光显影，露出需要掺杂区域的GaN沟道层；S4：进行Mg离子注入，在GaN沟道层形成沿着GaN沟道层平面方向的周期性间隔的长条形的P型掺杂区；S5：去除剩余的光刻胶，进行快速热处理修复离子注入造成的晶格损伤并激活掺杂离子；S6：布置AlGaN势垒层；S7：清洗外延片，采用离子注入或等离子刻蚀的方法进行器件隔离形成HEMT器件的有源区；S8：制作源极和漏极电极并形成欧姆接触；S9：制作栅极电极并形成肖特基接触。
关 键 词：氮化镓HEMT器件;横向超结;光刻胶;外延片;离子;等离子刻蚀;快速热处理;肖特基接触;周期性间隔;注入阻挡层;掺杂离子;掺杂区域;击穿电压;漏极电极;欧姆接触;平面方向;曝光显影;器件隔离;依次布置;栅极电极;长条形;衬底层;制作源;去除;源区;制造;清洗;激活;制作
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L21/335;H01L21/00;H01L29/06;H01L29/00;H01L29/778;H01L29/00;H;H01;H01L;H01L21;H01L29;H01L21/335;H01L21/00;H01L29/06;H01L29/00;H01L29/778;H01L29/00