具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件及其制造方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810229695.9
申 请 日：20180320
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180727
公 开 号：CN201810229695.9
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域，包含碳化硅衬底(101)、第一外延层(201)、P型离子注入区(203)、第二外延层(301)、沟槽结构(302)、终端区绝缘介质隔离层(401)，肖特基金属层(501)及金属电极(502)；所述碳化硅衬底(101)、第一外延层(201)、第二外延层(301)和肖特基金属层(501)自下而上依次层叠设置，所述P型离子注入区(203)呈一定间隔嵌入在第一外延层(201)的上表面，所述P型离子注入区(203)与第一外延层(201)的上表面齐平且与所述第二外延层(301)的下表面接触。本发明具有在不影响器件导通电流的情况下，最大程度地提高现有肖特基势垒二极管结构的反向击穿电压的优点。
主 权 项：1.具有浮动结的沟槽型碳化硅SBD器件，其特征在于：该器件包含碳化硅衬底(101)、第一外延层(201)、P型离子注入区(203)、第二外延层(301)、沟槽结构(302)、终端区绝缘介质隔离层(401)，肖特基金属层(501)及金属电极(502)；所述碳化硅衬底(101)、第一外延层(201)、第二外延层(301)和肖特基金属层(501)自下而上依次层叠设置，所述P型离子注入区(203)呈一定间隔嵌入在第一外延层(201)的上表面，所述P型离子注入区(203)与第一外延层(201)的上表面齐平且与所述第二外延层(301)的下表面接触；所述第二外延层(301)的两侧外表面与所述碳化硅衬底(101)和第一外延层(201)的两侧外表面齐平，所述沟槽结构(302)间隔一定距离嵌入在所述第二外延层(301)的上表面，且所述沟槽结构(302)在的位置与所述P型离子注入区(203)的位置一一对应；所述沟槽结构(302)内壁设置绝缘介质层(304)，所述绝缘介质层(304)内填充有导电材料(305)，所述沟槽结构(302)、绝缘介质层(304)和导电材料(305)的上表面均与所述第二外延层(301)的上表面齐平；所述终端区绝缘介质隔离层(401)设置在所述第二外延层(301)上表面的两侧，两侧的所述终端区绝缘介质隔离层(401)分别至少与一个所述沟槽结构(302)的上表面接触，所述金属电极(502)贴合在所述肖特基金属层(501)和终端区绝缘介质隔离层(401)的上表面，且所述金属电极(502)的两侧表面不超过所述终端区绝缘介质隔离层(401)的两侧表面。
关 键 词：外延层;肖特基金属层;碳化硅SBD;浮动结;沟槽型;碳化硅;衬底;肖特基势垒二极管;半导体器件技术;绝缘介质隔离层;反向击穿电压;上表面齐平;最大程度地;导通电流;沟槽结构;金属电极;依次层叠;影响器件;上表面;下表面;终端区;嵌入;制造
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L29/872;H01L29/00;H01L21/04;H01L21/00;H;H01;H01L;H01L29;H01L21;H01L29/872;H01L29/00;H01L21/04;H01L21/00