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  • 发明人=王国玉x
排序:
一种掺杂大块单晶SnS的制备方法

申请号:CN201810486631.7

申请日:20180521

申请人:重庆大学

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摘要:本发明属于半导体材料掺杂技术领域,公开了一种掺杂大块单晶SnS的制备方法,将原料按化学计量比在具有氩气保护环境的手套箱中配好并真空封与石英管中,置于自制的单晶炉中,用2400分钟升温到1000度,在1000度保温800分...
一种掺杂单晶SnSe的制备方法

申请号:CN201610479617.5

申请日:20160623

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开一种掺杂SnSe单晶的制备方法,该方法为:将配好的原料封于石英管中,并置于一具有温度梯度的炉子内;将炉温升至一定温度,并在该温度下保温一段时间保证原料充分熔化;然后采用布立基曼法,利用炉中的温度梯度及炉腔与原料...
一种简易单晶炉

申请号:CN201620630610.4

申请日:20160623

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型公开了一种简易单晶炉,包括立式管式炉和步进控制系统,立式管式炉包括控温部件、加热部件、石英锥管、石英托、真空泵;石英托设置有容纳石英锥管的孔,石英锥管穿插在石英托设置的孔上,真空泵通过与连熔炉管的一端法兰相连,...
一种简易单晶炉及其控制方法

申请号:CN201610463538.5

申请日:20160623

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种简易单晶炉及其控制方法,简易单晶炉包括立式管式炉和运动控制系统,立式管式炉包括加热部件、石英锥管、石英托、真空泵;石英托设置有容纳石英锥管的孔,石英锥管穿插在石英托设置的孔上,真空泵通过与炉管的一端法兰相...
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