一种掺杂单晶SnSe的制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201610479617.5 

申 请 日：20160623 

发 明 人：周小元王国玉彭坤岭 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20160831 

公 开 号：CN105908258A 

代 理 人：姜彦 

代理机构：北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 

摘　　要：本发明公开一种掺杂SnSe单晶的制备方法,该方法为：将配好的原料封于石英管中,并置于一具有温度梯度的炉子内；将炉温升至一定温度,并在该温度下保温一段时间保证原料充分熔化；然后采用布立基曼法,利用炉中的温度梯度及炉腔与原料之间的相对位置变化,使熔融原料从一端缓慢结晶并最终制得掺杂SnSe单晶。本发明制备的掺杂SnSe单晶尺寸大、热电性能优越,其低温区ZT值相对于未掺杂的样品提高近一个量级；其原材料成本低、环境友好,因而具有很好的实际应用前景。 

主 权 项：一种掺杂SnSe单晶的制备方法,其特征在于,该掺杂SnSe单晶的制备方法包括以下步骤：步骤一,将原料按照一定的原料配比配好并封在石英管中,置于用于样品生长的炉子中；步骤二,将炉子升温至一定温度,并保温一段时间保证原料充分熔化；步骤三,采用布立基曼法,利用炉中的温度梯度及炉腔与原料之间的相对位置变化,使熔融原料从一端缓慢结晶并最终制得掺杂SnSe单晶。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：C30B29/46;C30B15/00