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  • 发明人=武星河x
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一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件

申请号:CN201410174541.6

申请日:20140428

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层,有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件

申请号:CN201410174541.6

申请日:20140428

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层,有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
一种横向功率MOS高压器件

申请号:CN201410174519.1

申请日:20140428

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种横向功率MOS高压器件,包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区,其特征在于:所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层,...
一种具有界面栅的SOI功率器件结构

申请号:CN201310572042.8

申请日:20131116

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件,包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层,栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成;本发明在常规的SOI功率器件基础上,将槽型栅延伸至埋...
一种具有界面栅的SOI功率器件结构

申请号:CN201310572042.8

申请日:20131116

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件,包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层,栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成;本发明在常规的SOI功率器件基础上,将槽型栅延伸至埋...
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