检索结果分析
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
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申请号：CN201410174541.6
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
- 一种横向功率MOS高压器件
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申请号：CN201410174519.1
申请日：20140428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，...
- 一种具有界面栅的SOI功率器件结构
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申请号：CN201310572042.8
申请日：20131116
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
- 一种具有界面栅的SOI功率器件结构
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申请号：CN201310572042.8
申请日：20131116
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...