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  • 发明人=方亮x
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MXene/镍基层状双氢氧化物复合材料及其制备方法

申请号:CN201910389173.X

申请日:20190510

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种基于MXene/镍基层状双氢氧化物复合材料及其制备方法,用于制备高性能葡萄糖传感器,制备方法通过先制备多层MXene粉末,再制备单层或少层MXene,最后通过水热反应获得三维多孔结构的复合材料MXene/...
一种在Cr、Ni元素含量高的合金钢上制备磷化膜的方法

申请号:CN201110025256.4

申请日:20110124

申请人:重庆大学

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摘要:一种在Cr、Ni元素含量高的合金钢上制备磷化膜的方法,属于金属材料表面处理技术中高温锰系磷化技术,该方法的特征在于在磷化过程中,采用4~6mA/cm3的电流密度,把前处理过的样品作为阳极且石墨电极作为阴极实施阳极极化得到...
大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法

申请号:CN201110025271.9

申请日:20110124

申请人:重庆大学

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摘要:一种大功率LED灯具散热用二元混合纳米导热硅脂及其制备方法。它是以甲基硅油作为基底,加入一定组份的高导热微米粉体或化合物粉体、纳米金属粉体作为导热填料,并使用一定的表面活性剂,经过一定的工艺流程合成的二元混合纳米导热硅脂...
铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法

申请号:CN201010165287.5

申请日:20100507

申请人:重庆大学

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摘要:一种铝合金上制备Ni-Co-P/Si3N4镀层的化学复合镀方法,包括粉末前处理、脱脂、弱碱腐蚀、除垢、沉锌、褪锌、二次沉锌、化学镀膜;其特征是化学镀液由主盐硫酸镍6-28g/L、硫酸钴6-26g/L,还原剂次磷酸钠28g...
一种镁合金表面超疏水涂层的制备方法

申请号:CN201010165310.0

申请日:20100507

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种镁合金表面超疏水涂层的制备方法,属于镁合金表面处理技术,该方法先将镁合金样品依次用去离子水、丙酮超声清洗,再用纯水淋洗干净等清洁处理后,在室温下浸入化学腐蚀液中处理2~5分钟,处理完之后超声清洗,烘干待用,...
镁合金在酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法

申请号:CN200910104521.0

申请日:20090803

申请人:重庆大学

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摘要:一种镁合金酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法,包括:镁合金前处理后浸锌,然后化学镀Ni-Co-P,其特征是:化学镀Ni-Co-P时,镀液的配方为:主盐为硫酸镍10~20g/L和硫酸钴4~12g/L,还原剂为次亚磷酸...
镁合金在酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法

申请号:CN200910104521.0

申请日:20090803

申请人:重庆大学

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摘要:一种镁合金酸性溶液中Ni-Co-P镀层的化学镀方法,包括:镁合金前处理后浸锌,然后化学镀Ni-Co-P,其特征是:化学镀Ni-Co-P时,镀液的配方为:主盐为硫酸镍10~20g/L和硫酸钴4~12g/L,还原剂为次亚磷酸...
P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法

申请号:CN200710092912.6

申请日:20071030

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极,它通过采用CIO透明导电薄膜结构,使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15%以上,可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率,...
P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法

申请号:CN200710092912.6

申请日:20071030

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极,它通过采用CIO透明导电薄膜结构,使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15%以上,可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率,...
一种用于密闭发光二极管系统的散热结构

申请号:CN200520009905.1

申请日:20050905

申请人:重庆大学

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摘要:本实用新型涉及一种用于密闭发光二极管系统的散热结构。其特征在于:在装有发光二极管的线路板背面覆盖有既导热又绝缘的散热片。在散热片与金属外壳之间连接有支撑。本实用新型的优点是:结构简单,生产成本低,能将系统内部的热量有效传...
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