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P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200710092912.6
申 请 日：20071030
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20080416
公 开 号：CN101162751A
代 理 人：侯懋琪
代理机构：重庆弘旭专利代理有限责任公司
摘 要：本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，或应用于GaN基光电探测器上提高其响应度，具有极高的产业利用价值。本发明还公开了上述透明电极的制备方法，该方法解决了CIO透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题。
主 权 项：1.一种P型GaN上镉铟氧透明电极，它包括：一P型GaN(1)，在P型GaN(1)上有第一导电层(2)，其特征在于：在第一导电层(2)之上有CIO透明导电薄膜(3)。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01)