检索结果分析
- 带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法
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申请号：CN201410244145.6
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有压应变薄膜应变源的双栅p沟道MOSFET及制备方法，该MOSFET器件包括源区、漏区和导电沟道区，栅介质层，栅极，绝缘介质层，压应变薄膜应变层，栅介质层形成在半导体材料的第一表面上，且位于导电沟道区的...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
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申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法
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申请号：CN201410244666.1
申请日：20140604
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提出了一种带有张应变薄膜应变源的双栅场效应晶体管及其制备方法，该双栅场效应晶体管包括半导体材料，栅介质层，栅极，张应变薄膜应变层，该张应变薄膜应变层形成在所述绝缘介质层上，用于在导电沟道区引入沿沟道方向上的张应变，...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
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申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
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申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n+型SiGe与p+型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四周区域,应变源势垒SiGe的一端为金属接触电...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
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申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
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申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<sup>+</sup>型SiGe与p<sup>+</sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...