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  • 发明人=廖兴林x
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一种SiC MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法

申请号:CN201811130588.7

申请日:20180927

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种SiC#MOSFET逆变器用在线自适应死区消除方法,属于逆变器PWM控制领域,该方法通过在线实时计算电流纹波判断电流所处区域,进行死区消除,具体包含如下步骤:S1:在线检测三相逆变器输出电压、电流以及直流母...
一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置

申请号:CN201710703079.8

申请日:20170816

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动装置,属于SiC驱动技术领域。该装置包含主驱动电路及无源辅助电路,主驱动电路部分由DC?DC变换器单元、光耦隔离芯片单元、驱动芯片单元、驱动电阻单元构成;无源辅...
一种基于SiCMOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置

申请号:CN201710565467.4

申请日:20170712

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置,属于直流固态断路器技术领域,该装置包含直流固态断路器,还包括电流检测系统、驱动系统、功率半导体固态开关器件、缓冲电路支路和能量吸收支路,缓冲电路支...
一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统及控制方法

申请号:CN201710533345.7

申请日:20170703

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种全固态直流断路器用SiC MOSFET驱动系统及控制方法,属于固态直流断路器领域。所述SiC MOSFET驱动系统包括直流电流检测模块,用于检测固态断路器所在主电路的故障电流,以使得驱动系统能检测到直流系统...
基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法

申请号:CN201610139323.8

申请日:20160311

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提供的一种基于耦合电感的SiC#MOSFET并联均流控制方法,在并联SiC#MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上,通过本方法,能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...
基于耦合电感的SiC MOSFET并联均流控制方法

申请号:CN201610139323.8

申请日:20160311

申请人:重庆大学

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摘要:本发明提供的一种基于耦合电感的SiC?MOSFET并联均流控制方法,在并联SiC?MOSFET的各支路上均串联一个电感线圈,且各支路的电感线圈耦合于一个公共的磁芯上,通过本方法,能够对包括动态不平衡电流以及静态不平衡电流...
一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法

申请号:CN201610023621.0

申请日:20160114

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种双馈风电机组机侧变流器IGBT器件结温波动抑制方法,包括以下步骤:利用双馈发电机转速、定子电信号、转子电信号,计算机组转差率和定子有功功率;通过附加控制外环的方式,构建基于功率、转速双控制外环的最大功率跟踪...
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