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- 一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件
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申请号：CN201810403053.6
申请日：20180428
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种具有变K介质槽的超结碳化硅VDMOS器件，属于半导体功率器件领域。该器件包括衬底N+硅层、有源顶层硅和槽形结构；所述衬底N+硅层下方设置有漏电极；所述有源顶层硅设置有P型硅区、N?漂移区、N+源区、P+源区...
- 基于自发电的自行车运动健身记录仪
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申请号：CN201620576946.7
申请日：20160613
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型提出了一种基于自发电的自行车运动健身记录仪,包括踏板为中空腔室,踏板一端中部开孔设置踏板转动杆,踏板转动杆安装在踏板连接孔处,踏板转动杆设置在踏板内部腔室处为金属管,金属管设置中空管套,将自发电系统固定在中空管...
- 微流控芯片观测台以及双视野微流控芯片观测系统
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申请号：CN201010166212.9
申请日：20100507
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种微流控芯片观测台以及使用该观测台的双视野微流控芯片观测系统，其中，微流控芯片观测台的包括由遮光壁隔开的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体并排，第一、第二腔体上端面构成芯片观测端面；第一、第二腔体上端分...
- 基于层流的多通道压力检测芯片及其制造和测压方法
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申请号：CN201010162776.5
申请日：20100430
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于层流的多通道压力检测芯片及其制造和测压方法，用于微流控领域对微流流体压力进行精确测量，该芯片设置Y形流路，在一定条件下，待测液和参比液通过Y形流路汇合时出现层流现象，以便于对处于层流状态的待测液进行测...