检索结果分析
- 一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法
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申请号：CN201810066650.4
申请日：20180124
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于普适绝缘层的OFET管驱动，包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5)，绝缘层(2)为一种普适材料PVP，在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2)，在PVP层(2)上覆盖有源层(3...
- 一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管及其制备方法
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申请号：CN201711157046.4
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于p?6p/C8?BTBT复合材料的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）为p?6p/C8?BTBT复合材料，在绝缘层...
- 一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法
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申请号：CN201711157659.8
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法。本发明的OFET管包括栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、源极（4）和漏极（5），有源层（3）包括酞菁铜（31），在酞菁铜（31）中至少夹有两层氧化钼（32）。...