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  • 发明人=何乃军x
排序:
半固态铸造技术制备局部颗粒增强铝合金气缸套的方法

申请号:CN200910191999.1

申请日:20091221

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及一种半固态铸造技术制备局部颗粒增强铝合金气缸套的方法,它适用于制备内表面颗粒增强的铝合金发动机缸套,可满足高耐磨和低排量的需求。其制备方法是:熔化并精炼铝硅合金并保温在730℃;将精炼好的过共晶铝硅合金降温至6...
摩擦搅拌加工技术在高硅铝合金缸套的应用方法

申请号:CN200910191345.9

申请日:20091106

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及一种摩擦搅拌加工技术在高硅铝合金缸套的应用方法,它适用于提高发动机耐磨性、减少废气排放量和延长使用寿命的需求。其加工方法是:首先将缸套毛坯表面去氧化皮并清洗干净;再将清洗干净的缸套毛坯固定在可以旋转的夹具上,并...
用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法

申请号:CN200910104244.3

申请日:20090703

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法,属于电 子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料,将熔融SiCp/Al复合材 料浇注入成型模具中并保温,采用振动激励加速沉降高温SiCp/A...
用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法

申请号:CN200910104244.3

申请日:20090703

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法,属于电子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料,将熔融SiCp/Al复合材料浇注入成型模具中并保温,采用振动激励加速沉降高温SiCp/Al复...
制备SiCP/Al电子封装零件的方法

申请号:CN200810237293.X

申请日:20081230

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复 合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40~75%的SiCp/Al电子封装 零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的...
制备SiCp/Al电子封装零件的方法

申请号:CN200810237293.X

申请日:20081230

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40~75%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点...
制备SiCP/Al电子封装零件的方法

申请号:CN200810237293.X

申请日:20081230

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40~75%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点...
一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法

申请号:CN200810237278.5

申请日:20081229

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法,所述活塞顶部与环槽部为在合金凝固过程中自生析出初晶Si与Mg2Si材料的增强颗粒区域,所述增强区的增强颗粒从与燃烧室接触的顶部到环槽部呈现由高到低的递减;从活...
一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法

申请号:CN200810237278.5

申请日:20081229

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明涉及一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法,所述活塞顶部与环槽部为在合金凝固过程中自生析出初晶Si与Mg2Si材料的增强颗粒区域,所述增强区的增强颗粒从与燃烧室接触的顶部到环槽部呈现由高到低的递减;从活...
一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法

申请号:CN200810237278.5

申请日:20081229

申请人:重庆大学

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摘要:本发明涉及一种Al/Si-Mg<sub>2</sub>Si复合材料的活塞及制备方法,所述活塞顶部与环槽部为在合金凝固过程中自生析出初晶Si与Mg<sub>2</sub>Si材料的增强颗粒区域,所述增强区的增强颗粒从与燃烧...
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