用振动加速沉降技术制备SiCp/A1电子封装零件的方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200910104244.3 

申 请 日：20090703 

发 明 人：王开薛寒松刘昌明何乃军谢卫东邹茂华 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区174号 

公 开 日：20091216 

公 开 号：CN101604635 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明涉及用振动加速沉降技术制备SiCp/Al电子封装零件的方法，属于电子封装零件制备技术领域。以SiCp/Al复合材料为原料，将熔融SiCp/Al复合材料浇注入成型模具中并保温，采用振动激励加速沉降高温SiCp/Al复合材料熔体中的SiC颗粒到熔体下部，冷却凝固后切割掉位于铸件上部的完全由Al－Si合金构成的部分，制备出体积分数为45～70％的SiCp/Al电子封装零件，所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数、SiC颗粒分布均匀和高致密度的特点，并且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形，有成本低、孔隙率低和材料性能好的优点。??全部 

主 权 项： 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：H01L21/48(2006.01)I;B22D27/06(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I