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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN200810237293.X
申 请 日:20081230
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20090610
公 开 号:CN101451203
代 理 人:胡荣珲
代理机构:重庆志合专利事务所
摘 要:本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40~75%的SiCp/Al电子封装零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点,并且制备过程中工艺和设备简单、制备周期短、能净终成形,有成本低、孔隙率低和材料性能好的优点。??全部
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关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:C22C1/10(2006.01)I;B22D13/00(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I