检索结果分析
- 一种基于相变材料的功率模块及其制作方法
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申请号:CN201810537959.7
申请日:20180530
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明涉及一种基于相变材料的功率模块及其制作方法,属于功率模块技术领域,包含基板(1),陶瓷覆铜板(2),相变模块和功率端子(7);基板(1)上表面呈长方形,多块陶瓷覆铜板(2)分别设置在基板(1)上,陶瓷覆铜板(2)之...
- 模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法
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申请号:CN201711158329.0
申请日:20171120
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法,属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟,建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型,...
- 芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法
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申请号:CN201710952993.6
申请日:20171013
申请人:重庆大学
浏览量:0 - 摘要:本发明涉及一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法,属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模,建立压接式IGBT元胞TCAD模型,仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律;I...