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专利名称
- 专利名称
- 申请号
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- 发明人
- 关键词
不限
- 不限
- 1989
- 1990
- 1991
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- 1991
- 1990
- 1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
已选条件：
- 发明人=任海
- 一种基于相变材料的功率模块及其制作方法
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申请号：CN201810537959.7
申请日：20180530
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种基于相变材料的功率模块及其制作方法，属于功率模块技术领域，包含基板(1)，陶瓷覆铜板(2)，相变模块和功率端子(7)；基板(1)上表面呈长方形，多块陶瓷覆铜板(2)分别设置在基板(1)上，陶瓷覆铜板(2)之...
- 模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法
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申请号：CN201711158329.0
申请日：20171120
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法，属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟，建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型，...
- 芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法
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申请号：CN201710952993.6
申请日：20171013
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种芯片?器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；I...