检索结果分析
- 基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片
-
申请号：CN201120089331.9
申请日：20110330
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的LED芯片，该芯片自上而下由上下表面均匀分布102～104个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂AlxGa1-xN外延材料构成的单元层组成的AlxGa1-xN组分渐变缓冲层...
- 基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片
-
申请号：CN201110078703.2
申请日：20110330
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，该芯片自上而下由上下表面均匀分布102～104个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂AlxGa1-xN外延材料构成的单元层组成的AlxGa1-xN组分渐变缓冲层...
- 一种倒装焊LED芯片结构及其制作方法
-
申请号：CN201010547679.8
申请日：20101117
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：一种倒装焊LED芯片结构及其制备方法，所述LED芯片包括以蓝宝石为衬底的外延层和以SiO2/Si为衬底的电极层；蓝宝石衬底的正面刻蚀有周期性结构的孔，背面刻蚀有随机图案；刻蚀有孔的蓝宝石衬底上依次生长缓冲层bufferl...