基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201110078703.2
申 请 日：20110330
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20130925
公 开 号：CN102157654B
代 理 人：张先芸
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212
摘 要：本发明公开了一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，该芯片自上而下由上下表面均匀分布102～104个凹孔的蓝宝石衬底、由k个非掺杂AlxGa1-xN外延材料构成的单元层组成的AlxGa1-xN组分渐变缓冲层、n型GaN外延层、InGaN/GaN多量子阱、p型GaN层、透明ITO导电薄膜、倒装焊电极及硅衬底组成。本发明采用凹孔结构提高LED出射光的出射几率，增加衬底的散热表面积和生长应力作用范围，以提高GaN外延质量及其辐射复合发光效率；采用Al组分含量逐渐降低的AlxGa1-xN来制作n型GaN外延层的缓冲层，提高LED的出光效率和内量子效率，获得较高的光输出功率。
主 权 项：一种基于双面凹孔衬底及组分渐变缓冲层的倒装LED芯片，其特征在于：该LED芯片自上而下由蓝宝石衬底（1）、ALXGA1?X?N组分渐变缓冲层（2）、N型GAN外延层（3）、INGAN/GAN多量子阱（4）、P型GAN层（5）、透明ITO导电薄膜（6）、倒装焊电极（7）以及导电性良好的硅衬底（8）组成；所述蓝宝石衬底（1）的上表面均布设有M个凹孔Ⅰ（9），102≤M≤104，下表面均布设有N个凹孔Ⅱ（10），102≤N≤104；所述ALXGA1?XN组分渐变缓冲层（2）由K个非掺杂ALXGA1?XN外延材料构成的单元层组成，3≤K≤10，K个单元层由上向下各层中AL组分满足：1≥X1>X2>……XN≥0。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L33/12; H01L33/20