一种倒装焊LED芯片结构及其制作方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201010547679.8
申 请 日：20101117
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20110504
公 开 号：CN102044608A
代 理 人：张先芸
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司50212
摘 要：一种倒装焊LED芯片结构及其制备方法，所述LED芯片包括以蓝宝石为衬底的外延层和以SiO2/Si为衬底的电极层；蓝宝石衬底的正面刻蚀有周期性结构的孔，背面刻蚀有随机图案；刻蚀有孔的蓝宝石衬底上依次生长缓冲层bufferlayer、n型GaN层n-GaN、多量子阱层MQWs和p型GaN层p-GaN作为外延层，所述p型GaN层p-GaN上刻蚀有一个或多个阴极电极槽，p型GaN层p-GaN上溅镀有p型接触层，刻蚀后露出的n型GaN层n-GaN上电镀有n型欧姆接触层，所述SiO2/Si衬底上依次沉积的钛Ti、铂Pt和金Au作为电极层，电极层上的电极层分布与刻蚀后的外延层上的电极分布一致；通过金Au焊料将蓝宝石衬底正面的外延层和SiO2/Si衬底上电极层进行粘结构成LED芯片。本结构性能稳定,电能利用率更高，使用寿命更长。???全部
主 权 项：一种倒装焊LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片包括以蓝宝石为衬底的外延层和以SIO2/SI为衬底的电极层；所述蓝宝石衬底的正面刻蚀有周期性结构的孔（1），背面刻蚀有随机图案；所述刻蚀有孔的蓝宝石衬底正面上生长有外延层，所述外延层的结构依次为：缓冲层BUFFER?LAYER、N型GAN层N?GAN、多量子阱层MQWS和P型GAN层P?GAN；所述P型GAN层P?GAN上刻蚀有阴极电极槽，未刻蚀的P型GAN层P?GAN作为阳极电极槽，刻蚀后露出的N型GAN层N?GAN为阴极电极槽；作为阳极电极槽的P型GAN层P?GAN上溅镀有P型接触层，所述P型接触层为依次溅镀的粘连层ITO、阻隔层NI和反射层AG；所述作为阴极电极槽的N型GAN层N?GAN上电镀有N型欧姆接触层，所述N型欧姆接触层为在阴极电极槽内电镀的TI/AL/TI/AU合金；所述SIO2/SI衬底上的电极层为SIO2/SI衬底上依次沉积的钛TI、铂PT和金AU，电极层上的电极分布与刻蚀后的外延层上电极分布一致；通过金AU焊料将蓝宝石衬底正面的外延层和SIO2/SI衬底上电极层进行粘结，构成LED芯片。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I