检索结果分析
- 制备SiCP/Al电子封装零件的方法
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申请号：CN200810237293.X
申请日：20081230
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法,这种方法以SiCp/Al复 合材料为原料,采用离心铸造法制备出体积分数为40～75％的SiCp/Al电子封装 零件,所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的...
- 制备SiCp/Al电子封装零件的方法
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申请号：CN200810237293.X
申请日：20081230
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法，这种方法以SiCp/Al复合材料为原料，采用离心铸造法制备出体积分数为40～75％的SiCp/Al电子封装零件，所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点...
- 制备SiCP/Al电子封装零件的方法
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申请号：CN200810237293.X
申请日：20081230
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种制备SiCp/Al电子封装零件的方法，这种方法以SiCp/Al复合材料为原料，采用离心铸造法制备出体积分数为40～75％的SiCp/Al电子封装零件，所述零件的材料具有高热导率、低热膨胀系数和高致密度的优点...
- 一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法
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申请号：CN200810237278.5
申请日：20081229
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法，所述活塞顶部与环槽部为在合金凝固过程中自生析出初晶Si与Mg2Si材料的增强颗粒区域，所述增强区的增强颗粒从与燃烧室接触的顶部到环槽部呈现由高到低的递减；从活...
- 一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法
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申请号：CN200810237278.5
申请日：20081229
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种Al/Si-Mg<sub>2</sub>Si复合材料的活塞及制备方法，所述活塞顶部与环槽部为在合金凝固过程中自生析出初晶Si与Mg<sub>2</sub>Si材料的增强颗粒区域，所述增强区的增强颗粒从与燃烧...
- 一种Al/Si-Mg2Si复合材料的活塞及制备方法
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申请号：CN200810237278.5
申请日：20081229
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明涉及一种Al/Si－Mg2Si复合材料的活塞及制备方法，所述活塞顶部与环槽部为在合金凝固过程中自生析出初晶Si与Mg2Si材料的增强颗粒区域，所述增强区的增强颗粒从与燃烧室接触的顶部到环槽部呈现由高到低的递减；从活...
- 内层颗粒增强缸套及其制造方法
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申请号：CN200810070197.0
申请日：20080827
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种内层颗粒增强缸套及其制造方法，包括缸套基体，缸套基体包括径向内层的增强层和外层的非增强层，增强层由增强颗粒分布在缸套基体内构成，增强层与非增强层通过冶金结合的过渡层进行结合，本发明增强层和非增强层过渡均匀...
- 内层颗粒增强缸套及其制造方法
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申请号：CN200810070197.0
申请日：20080827
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种内层颗粒增强缸套及其制造方法，包括缸套基体，缸套基体包括径向内层的增强层和外层的非增强层，增强层由增强颗粒分布在缸套基体内构成，增强层与非增强层通过冶金结合的过渡层进行结合，本发明增强层和非增强层过渡均匀...