检索结果分析
- 带有应变源的GeSn红外探测器
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申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
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申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器,其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn,弛豫层上面是应变源势垒n+型SiGe与p+型SiGe,成对生长在有源区GeSn的四周区域,应变源势垒SiGe的一端为金属接触电...
- 带有应变源的GeSn红外探测器
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申请号：CN201410185529.5
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn红外探测器，其结构为：在n<sup>+</sup>型衬底101上面为n型GeSn弛豫层102，弛豫层上面的SiGe应变源阵列104生长在GeSn光吸收阵列103的光吸收单元的周围区域，G...
- 带有应变源的GeSn量子阱红外发光器
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申请号：CN201410185612.2
申请日：20140505
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其结构如下：在硅衬底上面为弛豫层GeSn，弛豫层上面是应变源势垒n<sup>+</sup>型SiGe与p<sup>+</sup>型SiGe，成对生长在有源区GeSn的四...