检索结果分析
- 双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057748.5
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...
- 带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057722.0
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介...
- 带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057722.0
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源应变源的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括GeSn?n沟道、源极、漏极、源应变源、绝缘介电质薄膜和栅电极。所述源应变源（102）生长在源极区域（101），GeSn?n沟道上生长绝缘介...
- 双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管
-
申请号：CN201410057748.5
申请日：20140220
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSn?n沟道隧穿场效应晶体管（10），其结构包括衬底（101）、源极（102）、漏极（104）、GeSn?n沟道（103）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源极、n沟道、漏...